該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設計，內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，特別適合驅(qū)動線圈、馬達等感性負載。電路內(nèi)部集成過溫保護，當電路內(nèi)部溫度超過設定值時，關斷負載電流。當電路的結(jié)溫下降到預設溫度時，電路返回正常工作狀態(tài)；但電路不具有短路保護功能，當輸出對地短路、輸出對電源短路、輸出端短路時易導致電路損壞，使用時應避免發(fā)生短路，或者加入限流措施避免發(fā)生類似損壞。邏輯控制電源VCC與功率電源VDD內(nèi)部完全獨立，實際使用中應分開布線，禁止將VCC與VDD直接接到一起，以防止VDD高壓對電路VCC端造成損傷。在電子鎖等應用中，當邏輯輸入信號INA\INB的高電平電壓大于2.4V時，VCC可以懸空。

特性:

       低待機電流(小于0.1uA)

      工作電壓范圍：2V-8V

      持續(xù)輸出電流：1.3A(VDD=4.5V)

      峰值輸出電流：1.5A(VDD=4.5V)低導通內(nèi)阻—500毫安輸出電流時，內(nèi)阻0.44歐姆較小的輸入電流

      邏輯輸入INA\INB集成15K對地下拉電阻內(nèi)置帶遲滯效應的過熱保護電路(TSD)

      抗靜電等級：3KV(HBM)

應用: 

       2-4節(jié)AA/AAA干電池供電的玩具馬達驅(qū)動

       2-5節(jié)鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達驅(qū)動

      1節(jié)鋰電池供電的馬達驅(qū)動

      電子鎖

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